产品级碳化硅晶棒可在苏州恒迈瑞材料科技定购。苏州恒迈瑞公司是一家领先的碳化硅晶棒和碳化硅衬底生产商，为研究和生产提供高质量的碳化硅晶棒和晶片，我们提供标准和定制的产品和解决方案，以满足客户的特定要求。
N 型导电晶片厚度 350 μm，电阻率0.010～0.028 Ω·cm 2 ，主要应用于发光二极管、电力电子行业的功率器件；半绝缘晶片厚度500μm，电阻率 1×10 8 Ω·cm 2 ，主要用于微波射频、氮化镓晶体管等领域。
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料，其击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作，具有极低的开关损耗和高频工作能力，减小模块的体积和重量，显著提高系统的效率，有利于节能降耗，广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源汽车、航天等高科技领域。