氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
苏州恒迈瑞公司目前氮化镓衬底片有2英寸和方形氮化镓自支撑衬底，位错密度在105cm-3量级，根据不同的技术参数分为三种，即n型掺杂、半绝缘与非掺杂。n型氮化镓，主要运用于LED、激光器方面；半绝缘则运用于高功率微波器件或大电流高电压的开关上。非掺杂即高纯度氮化镓，在探测器上的应用较为广泛，要求材料的电子浓度越低越好。恒迈瑞非掺杂氮化镓产品，X射线(002)半峰宽为50秒、(102)半峰宽为80秒左右，块体材料的电子迁移率超过1500cmV-1s-1。