100nF排容,1206 104三星排容,1206 X7R 100nF排容
| 序号 | 产品类型 | 电容型号 | 电容容值 | 电容尺寸 | 电容精度 | 材质 | 额定电压 | 电容厚度 |
| 1 | 三星陶瓷电容 | CL21B683KBCNNNC | 68nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 0.85 mm |
| 2 | 三星陶瓷电容 | CL21B683KBFNNNE | 68nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
| 3 | 三星陶瓷电容 | CL21B104KBCNNNC | 100nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 0.85 mm |
| 4 | 三星陶瓷电容 | CL21B104KBFNNNE | 100nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
| 5 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KBFNNNE | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
| 6 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KAFNNNE | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 25V | 1.25 mm |
| 7 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KOCNNNC | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 0.85 mm |
| 8 | 三星陶瓷电容 | CL21B224KOFNNNE | 220nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 1.25 mm |
| 9 | 三星陶瓷电容 | CL21B474KBFNNNE | 470nF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
| 10 | 三星陶瓷电容 | CL21B474KAFNNNE | 470nF | 805 | ±10% | X7R | 25V | 1.25 mm |
| 11 | 三星陶瓷电容 | CL21B474KOFNNNE | 470nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 1.25 mm |
| 12 | 三星陶瓷电容 | CL21B684KOFNNNE | 680nF | 805 | ±10% | X7R | 16V | 1.25 mm |
| 13 | 三星陶瓷电容 | CL21B684KPFNNNE | 680nF | 805 | ±10% | X7R | 10V | 1.25 mm |
| 14 | 三星陶瓷电容 | CL21B105KBFNNNE | 1μF | 805 | ±10% | X7R | 50V | 1.25 mm |
| 15 | 三星陶瓷电容 | CL21B105KLFNNNE | 1μF | 805 | ±10% | X7R | L | 1.25 mm |
目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性，主要可分为两大类:BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R(X5R)产品。
C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的C0G产品DF值范围是
(2.0～8.0)×10-4，而技术创新型碱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，约是前者的(31～50)%。该类产品在载有T/R模块电路的
GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。
X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。