场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号:场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
集成电路(IntegratedCircuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高性方面迈进了一大步。那么，是否人体一旦静电不受控，裸手触摸静电敏感IC，就会导致IC损坏么?而事实上，确实有企业验过，很少有发现IC(HBM-200V)损坏，即使是人体静电达1000V。要解决这个问题，就需要深入到了解IC器件ESD失效机理的层面上。例如IC器件中常见的MOS(MetalOxdideSemiconductor)管，其主要ESD失效机理是电缘层(电介质层)在遭受过高的静电场作用下发生击穿，瞬间产生大ESD电流导致缘层发生热损坏，从而导致IC的原有设计功能失效。由此认识得出，IC器件中缘层受到较高的静电场作用，才是IC是否发生ESD失效的根本因素。
旧电子产品为啥不能乱丢？如今快节奏的社会生活，以智能手机为首的电子产品更新速度越来越快，电子垃圾的产生也随之。电子产品中通常含有大量的有毒有害物质，比如铅、镉、六价铬、聚氯乙烯塑料等等，简直就是一个化学元素周期表，电子产品中都含有线路板，名称为PCBA板，也称为印刷电路板，拿手机PCB板为例，生产时会首先在空的PCB板上刷一层锡膏，然后，通过自动贴片机把IC/电容/电阻都插进线路板内，经由烤炉把锡膏固定。也就是说，每个电子产品上都会有大量的焊锡和做载体用的塑料板子，这些都是容易引起污染的项目；
如果以上情况没有发生，可以切换手表的红黑笔，按照上面的方法进行测试，直到判断网格是否正确。一般情况下，结型场效应晶体管的源极和漏极在制造时是对称的。因此，在确定栅极G时，不需要区分源S和漏D，因为这两个极点可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千伏。三极管电极万用表测试也被用来区分三极管的三个电极与未标记的或未标记的类型。首先将万用表量程开关设置在r100或r1k电障上。红色手表笔随意接触三极管的一个电极，黑色手表笔依次接触三极管的另外两个电极，分别测量它们之间的阻值。如果测得的电阻是几百欧姆低，红色的手表笔接触电极基b，这管是PNP管。如果测量到数十至数百欧姆的高电阻，与红表笔接触的电极也是baseb，这个管是NPN管。