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桥堆好坏与管脚判别好坏:利用桥堆相邻两个管脚步间都一个PN结(正向导通，反向阻断)如果有相邻两个管脚正反向电阻都无穷大(开路)或很小接近0(短路)情况，桥堆已经损坏。管脚:万用表R×1K选定一管脚接到用万用表黑表笔上，红表笔则分别接到其余三个管脚。如果3个阻值都很小，则所选定管脚为桥堆输出负端，若有大有小，则为桥堆输入电源端。2:测量发射与某一基间的正向电阻，阻值较大的为b1，阻值较小的为b2。单结晶体管不但外形与普通三管相似，而且与NPN三管测量时也有相似之处，单晶体管(双基二管)的发射e对两个基b1b2均呈现PN结的正向特性。正小反大，与普通NPN型晶体管特性一样，利用单晶管的b1与b2之间没有PN结的特性，可以与普通NPN管相区别。b1与b2间正反向电阻都一样约为3-10KΩ，而NPN型晶体管的集电与发射之间是一个正向PN结和一个反向PN结串联，用万用表测量时正反向阻值都很大。
晶体的Q值高，Q值是什么意思呢?晶体的串联等效阻抗是Ze=Re+jXe，Re<<|jXe|，晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看ICspec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策
这需要格外留意，且区分方法比较困难，需练就"火眼金睛"。主要的方法是看整体的协调性，字迹与背景、引脚的新旧程度不符如字标过新、过清有问题的可能性也较大，但不少小厂是国内的某些小IC公司的芯片却生来如此，这为鉴定增添了不少麻烦，但对主流大厂芯片的判断此法还是很有意义的。另外，近来用激光打标机修改芯片标记的现象越来越多，是在内存及一些芯片方面，一旦发现激光印字的位置存在个别字母不齐、笔画粗细不均的，可以认定是Remark的。看引脚。凡光亮如"新"的镀锡引脚必为翻新货，正货IC的引脚大多数应是所谓"银粉脚"，泽较暗但成均匀，表面不应有氧化痕迹或"助焊剂"，另外DIP等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有(再次包装才会有)擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。