FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。
擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。
富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
FRAM的优势
与传统存储器相比，FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
更高速度写入
像SRAM一样，可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作，无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM
与SRAM相比
独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。
利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下: 1. 总的成要缩减
采用SRAM，你需要检测其电池状态。
但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。
而且 FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。
FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
维护自由；无需更换电池 缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件 2.环保型产品（减少了环境负担）
用过的电池成为工业废料。
在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO2排放量。
FRAM对于环保有益。
无废弃电池 降低工业负荷，实现环保 与E2PROM/闪存相比
与传统的非易失性存储器，如E2PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。
用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势，具体如下: 1. 性能提升
FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。
不仅如此，与E2PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。
当写入数据时，E2PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。
如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
总之，FRAM具有下列优势: 能够在电源中断的瞬间备份数据 能够进行频繁的数据记录 能够保证更长的电池寿命 2. 总的成本缩减
在为每个产品写入出厂参数时，与E2PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。
而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E2PROM却不能实现。
因此，利用FRAM可以降低总成本！
A.当写入出厂参数时，缩短了写入时间
B.减掉了产品上很多的部件