FDV301N , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.22 A, Vds=25 V, 3针 SOT-23封装
产品详细信息
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。
这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。
先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
SST超捷系列:
SST39VF010-70-4C-NHE SST39VF010-70-4C-WHE SST39VF020-70-4C-WHE SST39VF040-70-4C-NHE SST39VF040-70-4C-WHE SST25VF080B-50-4C-S2AF SST39VF1601-70-4C-EKE SST39VF3201-70-4C-B3KE SST39VF3201-70-4I-B3KE SST39VF3201-70-4C-EKE SST39VF6401B-70-4C-EKE SST39VF800A-70-4C-EKE SST49LF004B-33-4C-NHE SST89E58R02-40-C-TQJE
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