随着技术的进步以及市场应用的变化，音叉晶振呈现先小型化、高精度、低功耗的发展趋势:
首先，音叉晶振向小型化、薄片化和片式化发展的趋势越来越明显。
近几年，晶振下游应用终端出现向小型化、轻薄化的发展趋势。
作为电子产品的重要元件，晶振也必须向小型化、薄片化和片式化发展。
例如，iPhone 5厚度仅为7.6毫米，其使用的两颗音叉晶振是高度小型化、薄片化和片式化的高品质产品。从过去的20年中可以看出，晶振产品体积从约150立方毫米缩小到约0.75立方毫米，急剧下降到最初的1/200，小型化在不断进展。
其次，音叉晶振向更高精度与更高稳定度方向发展。晶振逐渐小型化、薄片化和片式化，为其提高精度和稳定度提出更大挑战。然而，从市场应用角度看，晶振为电子产品提供稳定的时钟频率，其精度和稳定度对下游产品的质量、性能以及后期维护成本具有至关重要的影响。
此外，晶振成本只是下游产品总成本极其微小的一部分，对下游产品价格影响甚微，所以品质较高的晶振产品更受下游企业欢迎。
此外，低功耗成为音叉晶振重要发展趋势。电子产品如移动终端小型化、薄片化的同时，功能也逐渐增多，导致耗电量急剧增加。
然而，自1992年索尼发布锂离子电池至今，电池领域还没有出现全新颠覆式的技术突破。因此，减少硬件能耗成为延长电子设备续航时间的现实选择。
作为电子产品的重要元件，音叉晶振也需要向低功耗方向发展。
在激烈市场竞争的洗礼之下，音叉晶振将迎来微型化生产技术更加成熟、成本控制更加高效的明天。同时，在巨大的应用市场驱动下，音叉晶振行业犹如闪耀着熠熠光辉的金矿，或将引发一轮掘金潮。
| 标准频率 | f_nom | 32.768kHz | |
| 频率公差 | f_tol | （±5×10-6）,±10×10-6,±20×10-6 | |
| 拐点温度 | Ti | +25 ± 5℃ | |
| 二次温度系数 | B | （-3.5±0.8）×10-8/℃2 Max | |
| 负载容量 | CL | 4.5 to 12.5pF | |
| 串联电阻 | R1 | 30 kΩ/50 kΩ | |
| 最大激励功率 | DLmax | 1 μW | |
| 激励功率 | DL | 0.1 μW | |
| 并列电容 | Co | 0.9pF | |
| 频率老化 | f_age | ±5 × 10-6 | 25℃± 3℃,第一年 |
| 工作温度 | T_use | -10℃ ~ +60℃ | |
| 储存温度 | T_stg | -30℃ ~ +70℃ | 单品裸存 |
音叉晶振是指石英晶片外型类似音叉的晶振，是柱形晶振的别称。
音叉晶振主要尺寸有:3*8mm、2*6mm、1.5*5mm。常用频率为32.768KHZ，主要用在计时的电子线路上，如石英手表，计时器，空调遥控器，时钟等。
实际上，绝大多数涉及数据处理的电子产品都需要晶振元件为其提供时钟频率，否则便无法启动或者有效工作。由此可见晶振尤其是音叉晶振是电子产品中十分重要的元件。