硅碳棒在氧化气氛中使用会逐渐氧化生成二氧化硅，随之电阻逐渐增加导致硅碳棒老化，此外也与材料老化性能有关。氧化反应方程式如下:SiC+2O2 → SiO2+CO2 碳化硅在空气中与氧气（O2）反应，随着二氧化硅（SiO2）数量的增加，硅碳棒表面逐步氧化，引起阻值增大。当温度达到800℃时出现氧化反应，温度越高反应越快。这种氧化过程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜，氧化反应较快，电阻增加尤为显著，随后反映的进行，当在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，进入电阻稳定区。之后随着时间的增加，导电层逐渐减少，绝缘层逐渐增加，硅碳棒的内部产生局部过热，电阻快速增加。一般情况下当阻值达到初始阻值的约3倍时，硅碳棒的寿命达到极限（而螺旋棒却不同，要达到其初始阻值的约1.7倍）。这是因为当阻值增加到其3倍时，每根棒发热分布不均匀，从而导致炉内温度分布不均匀。当硅碳棒寿命将尽时，不但阻值会增加而且会因气孔率的变化、强度变化等原因发生断棒事件。