EL814S1A(TU)交流光耦

　　交流输入光耦、交流光耦EL814S和EL814S1的丝印图示如上，EL表示EVERLIGHT品牌，814表示光耦规格代号，F表示光耦制造工厂，R表示光耦电流转换倍率CTR的等级代号（A表示CTR为50~150%），Y表示年份，WW表示生产周别，V表示通过VDE认证

　　EL814S1A(TU)交流输入的光耦，TU的编带包装方式如下，1卷1000pcs

　　交流输入光耦、交流光耦EL814S和EL814S1的区分:

　　S表示贴片型，可以SMT安装，本体距离安装PCB高度0.8mm

　　S1也是贴片封装可以SMT安装，本体紧贴安装的PCB没有空间，S1 Type的光耦814图示如下

　　交流输入光耦、交流光耦EL814通过的安规认证:UL No.E214129；VDE No.132249；CSA No.1408633；SEMKO；FIMKO；NEMKO；DEMKO认证通过

　　交流输入光耦、交流光耦EL814发射管端:最高耐电流IF=±50mA，脉冲(1us)IFP可达1安培，反向耐电压6V，最高功率消耗70mW，功率消耗降低因子2.9mW/℃

　　交流输入光耦、交流光耦EL814晶体三极管端:最高功率消耗150mW，功率消耗降低因子5.8mW/℃；集电极-发射极电压最高VCEO:80V；发射极-集电极电压最高VECO:6V

　　交流输入光耦、交流光耦EL814总的功率消耗最大200mW；绝缘电压Viso:5000V；工作温度-55~110℃；储存温度-55~125℃；焊锡温度260±5℃（需要参考Reflow温度曲线要求）

　　交流输入光耦、交流光耦EL814红外线发射管即输入端电子特性:顺向压降平均1.2V、最大1.4V（IF=20mA）；平均电容值50pF，最大250pF（V=0，f=1KHz）

　　交流输入光耦、交流光耦EL814晶体三极管即输出端电子特性:集电极-发射极最大暗电流100nA（Vce=20V，IF=0mA），集电极-发射极最小击穿电压BVCEO:80V（Ic=0.1mA），发射极-集电极最小击穿电压BVECO:6V（Ie=0.1mA）

　　交流输入光耦、交流光耦EL814传输特性:CTR大于20~300%(IF=±1mA,VCE=5V),集电极与发射极饱和电压最大VCE（sat）平均0.05V，最大0.2V（IF=±20mA，IC=1mA）；绝缘电阻1011Ω（VIO=500VDC，40~60%相对湿度），EL814A电流转换倍率CTR:50~150%

　　交流输入光耦、交流光耦EL814用途:低功率的逻辑电路、手提电子设备、电信设备、测量仪器、电信、家电、风扇、加热器等、不同的诱发电位和阻抗之间的信号传输电路。

　　EVERLIGHT光耦品类多样化，品种全面:晶体管直流输入的光耦、晶体管交流输入的光耦、带过零触发的可控硅光耦、不带过零触发的可控硅光耦、达林顿光耦、高速光耦、继电器光耦，插件型、贴片型；EVERLIGHT光耦目前实际产能为310KK/月，最新交期为60天